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transistor dst72 tv philips alguem conhese
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transistor dst72 tv philips alguem conhese
por Carlos Muniz (Carlão) Qua 12 Jan 2011, 19:51
olá possoal alguem conhesse o transistor dst72 ? 
Carlos Muniz (Carlão)- Participante
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Re: transistor dst72 tv philips alguem conhese
por Alpha Eletronica Qua 12 Jan 2011, 20:19
Resumo
Transistores domínio top-gate efeito (FET) utilizando Au-gap (5 mícrons) eletrodos em substrato de vidro e SiO2/Si como portão ter sido fabricadas com nanobastões e dopadas de ZnO, bem como com nanobastões WO2.72 como elementos semicondutores ativos. As características IV com voltagens diferentes portão mostram que os nanobastões são semicondutores tipo-n e as características de transferência de derivados demonstrar que os dispositivos FET função no modo de depleção. Al-doping (3 em%) aumenta a mobilidade do portador de nanobastões ZnO para 128,6 cm2 xs / V em relação a 0,009 cm2 / V xs estimado no caso do nanorods não dopados. Doping com Cd e Mg (3% at), bem como N (aproximadamente 1 em%) da mesma forma aumenta a mobilidade, embora em menor escala. O CD-ZnO dopadas apresentam nanorods a alta sensibilidade (definida como a relação entre a resistência ao ar para que, no hidrogénio) (20) para 1.000 ppm de hidrogênio. Aplicação de tensão da porta diminui o tempo de recuperação dos sensores nanorod. FETs base nanorods WO2.72 também mostram o esgotamento características do tipo e um modo de mobilidade do portador de 8,38 cm2 xs / V é obtido. A sensibilidade exibem WO2.72 base FETs bons (aproximadamente 10) para 1.000 ppm de hidrogênio.
Transistores domínio top-gate efeito (FET) utilizando Au-gap (5 mícrons) eletrodos em substrato de vidro e SiO2/Si como portão ter sido fabricadas com nanobastões e dopadas de ZnO, bem como com nanobastões WO2.72 como elementos semicondutores ativos. As características IV com voltagens diferentes portão mostram que os nanobastões são semicondutores tipo-n e as características de transferência de derivados demonstrar que os dispositivos FET função no modo de depleção. Al-doping (3 em%) aumenta a mobilidade do portador de nanobastões ZnO para 128,6 cm2 xs / V em relação a 0,009 cm2 / V xs estimado no caso do nanorods não dopados. Doping com Cd e Mg (3% at), bem como N (aproximadamente 1 em%) da mesma forma aumenta a mobilidade, embora em menor escala. O CD-ZnO dopadas apresentam nanorods a alta sensibilidade (definida como a relação entre a resistência ao ar para que, no hidrogénio) (20) para 1.000 ppm de hidrogênio. Aplicação de tensão da porta diminui o tempo de recuperação dos sensores nanorod. FETs base nanorods WO2.72 também mostram o esgotamento características do tipo e um modo de mobilidade do portador de 8,38 cm2 xs / V é obtido. A sensibilidade exibem WO2.72 base FETs bons (aproximadamente 10) para 1.000 ppm de hidrogênio.
Alpha Eletronica- Técnico
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